Справочник MOSFET. HX3415

 

HX3415 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HX3415
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для HX3415

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HX3415 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:801K  hx
 hx3415.pdf pdf_icon

HX3415

HX3415P-Channel Enhancement Mode MOSFETDescription Schematic diagramThe HX3415 uses advanced trench technologyto provide excellent R , low gate charge andDS(ON)operation with gate voltages as low as 1.8V. Thisdevice is suitable for use as a load switch or in PWMapplications.General Features V =-20VI =-4ADS DR (Typ.)=42m @V =-2.5VDS(ON) GSR (Typ.)=38.3m @V

 0.1. Size:801K  hx
 hx3415a.pdf pdf_icon

HX3415

HX3415AP-Channel Enhancement Mode MOSFETDescription Schematic diagramThe HX3415 uses advanced trench technologyto provide excellent R , low gate charge andDS(ON)operation with gate voltages as low as 1.8V. Thisdevice is suitable for use as a load switch or in PWMapplications.General Features V =-20VI =-4ADS DR (Typ.)=42m @V =-2.5VDS(ON) GSR (Typ.)=38.3m @

Другие MOSFET... HX2301A , HX2302 , HX2302A , HX2305 , HX3400 , HX3400A , HX3401 , HX3401A , 60N06 , HX3415A , HD2302 , HD2305 , HD2307 , HD2310 , HD2312 , SVD3205F , SVD3205S .

History: HM20N50A | FXN9N50F | BUK9E6R1-100E | BUK9E2R3-40E | BSC016N03LSG | CHM2331QGP | FIR60N04LG

 

 
Back to Top

 


 
.