HX3415 - описание и поиск аналогов

 

HX3415. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HX3415

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для HX3415

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HX3415 даташит

 ..1. Size:801K  hx
 hx3415.pdf pdf_icon

HX3415

HX3415 P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description Schematic diagram The HX3415 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features V =-20V I =-4A DS D R (Typ.)=42m @V =-2.5V DS(ON) GS R (Typ.)=38.3m @V

 0.1. Size:801K  hx
 hx3415a.pdf pdf_icon

HX3415

HX3415A P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description Schematic diagram The HX3415 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features V =-20V I =-4A DS D R (Typ.)=42m @V =-2.5V DS(ON) GS R (Typ.)=38.3m @

Другие MOSFET... HX2301A , HX2302 , HX2302A , HX2305 , HX3400 , HX3400A , HX3401 , HX3401A , IRLB3034 , HX3415A , HD2302 , HD2305 , HD2307 , HD2310 , HD2312 , SVD3205F , SVD3205S .

History: M7002NND03 | SUD50N06-07L | BUK457-400B | 2SK1012

 

 

 

 

↑ Back to Top
.