SVD3205F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVD3205F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 58 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 82.96 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 740.4 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Encapsulados: TO220F
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SVD3205F datasheet
svd3205t svd3205f svd3205s.pdf
SVD3205T/F/S 110A 55V N 2 SVD3205T/F/S N MOS VDMOS 1 1 3 3 T
svd3205t.pdf
SVD3205T_Datasheet 110A, 55V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVD3205T is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary S-RinTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching per
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