SVD3205F - описание и поиск аналогов

 

SVD3205F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVD3205F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 82.96 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 740.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SVD3205F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVD3205F даташит

 ..1. Size:374K  silan
 svd3205t svd3205f svd3205s.pdf pdf_icon

SVD3205F

SVD3205T/F/S 110A 55V N 2 SVD3205T/F/S N MOS VDMOS 1 1 3 3 T

 ..2. Size:329K  silan
 svd3205t svd3205f svd3205s svd3205str.pdf pdf_icon

SVD3205F

 7.1. Size:218K  1
 svd3205t.pdf pdf_icon

SVD3205F

SVD3205T_Datasheet 110A, 55V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVD3205T is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary S-RinTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching per

Другие MOSFET... HX3401A , HX3415 , HX3415A , HD2302 , HD2305 , HD2307 , HD2310 , HD2312 , MMIS60R580P , SVD3205S , SVD501DEAG , SVD50N06T , SVD50N06D , SVD50N06M , SVD50N06MJ , SVD540T , SVD540D .

History: SGM2305A | 2SK1564 | HM1404D | 2SK3109-ZJ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.