SVD3205F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVD3205F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 58 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 110 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 67.09 nC
Время нарастания (tr): 82.96 ns
Выходная емкость (Cd): 740.4 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO220F
SVD3205F Datasheet (PDF)
svd3205t svd3205f svd3205s.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVD3205T/F/S 110A55V N 2SVD3205T/F/S N MOS VDMOS 1133 T
svd3205t svd3205f svd3205s svd3205str.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVD3205T(F)(S) 110A55V N 2SVD3205T/F/S N MOS VDMOS 11 3
svd3205t.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVD3205T_Datasheet 110A, 55V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVD3205T is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryS-RinTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching per
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![SVD3205F](https://alltransistors.com/images/us.png)
![SVD3205F](https://alltransistors.com/images/es.png)
![SVD3205F](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C