SVD3205S Todos los transistores

 

SVD3205S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVD3205S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 82.96 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 740.4 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO263

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SVD3205S datasheet

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SVD3205S

SVD3205T/F/S 110A 55V N 2 SVD3205T/F/S N MOS VDMOS 1 1 3 3 T

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SVD3205S

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SVD3205S

SVD3205T_Datasheet 110A, 55V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVD3205T is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary S-RinTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching per

Otros transistores... HX3415 , HX3415A , HD2302 , HD2305 , HD2307 , HD2310 , HD2312 , SVD3205F , AOD4184A , SVD501DEAG , SVD50N06T , SVD50N06D , SVD50N06M , SVD50N06MJ , SVD540T , SVD540D , SVD540K .

History: SWD051R08ES | AP9970GW | IXFT50N85XHV

 

 

 

 

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