Справочник MOSFET. SVD3205S

 

SVD3205S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVD3205S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 82.96 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 740.4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SVD3205S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVD3205S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:374K  silan
 svd3205t svd3205f svd3205s.pdf pdf_icon

SVD3205S

SVD3205T/F/S 110A55V N 2SVD3205T/F/S N MOS VDMOS 1133 T

 ..2. Size:329K  silan
 svd3205t svd3205f svd3205s svd3205str.pdf pdf_icon

SVD3205S

SVD3205T(F)(S) 110A55V N 2SVD3205T/F/S N MOS VDMOS 11 3

 7.1. Size:218K  1
 svd3205t.pdf pdf_icon

SVD3205S

SVD3205T_Datasheet 110A, 55V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVD3205T is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryS-RinTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching per

Другие MOSFET... HX3415 , HX3415A , HD2302 , HD2305 , HD2307 , HD2310 , HD2312 , SVD3205F , HY1906P , SVD501DEAG , SVD50N06T , SVD50N06D , SVD50N06M , SVD50N06MJ , SVD540T , SVD540D , SVD540K .

History: CS6660

 

 
Back to Top

 


 
.