MNT-LB32N16 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MNT-LB32N16
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 160 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: SMARTC2
- Selección de transistores por parámetros
MNT-LB32N16 Datasheet (PDF)
mnt-lb32n16 mnt-lb32n20.pdf

MNT - LB32N16 MNT - LB32N20 MECHANICAL DATADimensions in mmSMARTPACK POWER MODULE24.010.5POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONSFEATURES N - CHANNEL POWER MOSFETS 4.25 HIGH SPEED SWITCHING SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED HIGH VOLTAGE (160V & 200V) HIGH ENERGY RATING43.5 ENHANCEMENT MODECASE 2 INTEGRAL PROTECTION DIODE P - CHANNEL AVAI
Otros transistores... LS3956 , LS3958 , MEM554 , MEM554C , MEM564C , MEM610 , MEM614 , MMBF170 , IRF2807 , MNT-LB32N16-C4 , MNT-LB32N20 , MNT-LB32N20-C4 , MTB30N06VL , MTB30P06V , MTB35N06ZL , MTP10N10M , MTP3055E .
History: 10N65KG-TF3-T | 11P50A
History: 10N65KG-TF3-T | 11P50A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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