MNT-LB32N16 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MNT-LB32N16
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 500 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 160 V
Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 0.1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 32 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 Ohm
Тип корпуса: SMARTC2
Аналог (замена) для MNT-LB32N16
MNT-LB32N16 Datasheet (PDF)
..1. Size:20K magnatec
mnt-lb32n16 mnt-lb32n20.pdf
mnt-lb32n16 mnt-lb32n20.pdf
MNT - LB32N16 MNT - LB32N20 MECHANICAL DATADimensions in mmSMARTPACK POWER MODULE24.010.5POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONSFEATURES N - CHANNEL POWER MOSFETS 4.25 HIGH SPEED SWITCHING SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED HIGH VOLTAGE (160V & 200V) HIGH ENERGY RATING43.5 ENHANCEMENT MODECASE 2 INTEGRAL PROTECTION DIODE P - CHANNEL AVAI
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
