SVF10N60T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF10N60T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVF10N60T
SVF10N60T Datasheet (PDF)
svf10n60t svf10n60f svf10n60s svf10n60k.pdf
SVF10N60T/F/S/K 10A600V N 2SVF10N60T/F/S/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3TO-263-2L1
svf10n60cafj.pdf
SVF10N60CAFJ 10A600V N 2SVF10N60CAFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.
svf10n60f svf10n60s svf10n60str svf10n60k.pdf
SVF10N60F/T/S/K 10A600V N SVF10N60F/T/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC
svf10n60cfj.pdf
SVF10N60CFJ 10A600V N 2SVF10N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918