Справочник MOSFET. SVF10N60T

 

SVF10N60T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF10N60T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SVF10N60T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF10N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  silan
 svf10n60t svf10n60f svf10n60s svf10n60k.pdf pdf_icon

SVF10N60T

SVF10N60T/F/S/K 10A600V N 2SVF10N60T/F/S/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3TO-263-2L1

 6.1. Size:324K  silan
 svf10n60cafj.pdf pdf_icon

SVF10N60T

SVF10N60CAFJ 10A600V N 2SVF10N60CAFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.

 6.2. Size:690K  silan
 svf10n60f svf10n60s svf10n60str svf10n60k.pdf pdf_icon

SVF10N60T

SVF10N60F/T/S/K 10A600V N SVF10N60F/T/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 6.3. Size:577K  silan
 svf10n60cfj.pdf pdf_icon

SVF10N60T

SVF10N60CFJ 10A600V N 2SVF10N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVD540T , SVD540D , SVD540K , SVD640T , SVD640D , SVD640F , SVD9Z24NT , SVDZ24NT , IRF640 , SVF10N60F , SVF10N60S , SVF10N60K , SVF10N80F , SVF10N80K , SVF12N60T , SVF12N60F , SVF12N60S .

History: SIE876DF | CEP84A4 | BSC123N08NS3G | 2SK2101-01MR | AM5931P | IRFP9133 | RHP030N03T100

 

 
Back to Top

 


 
.