SVF10N60T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SVF10N60T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 60.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SVF10N60T
SVF10N60T Datasheet (PDF)
svf10n60t svf10n60f svf10n60s svf10n60k.pdf
SVF10N60T/F/S/K 10A600V N 2SVF10N60T/F/S/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3TO-263-2L1
svf10n60cafj.pdf
SVF10N60CAFJ 10A600V N 2SVF10N60CAFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.
svf10n60f svf10n60s svf10n60str svf10n60k.pdf
SVF10N60F/T/S/K 10A600V N SVF10N60F/T/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC
svf10n60cfj.pdf
SVF10N60CFJ 10A600V N 2SVF10N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.
Другие MOSFET... SVD540T , SVD540D , SVD540K , SVD640T , SVD640D , SVD640F , SVD9Z24NT , SVDZ24NT , IRFP460 , SVF10N60F , SVF10N60S , SVF10N60K , SVF10N80F , SVF10N80K , SVF12N60T , SVF12N60F , SVF12N60S .
History: YJQ4666B | 2N80L-TN3-R | 2N80G-TM3-R | SK860314
History: YJQ4666B | 2N80L-TN3-R | 2N80G-TM3-R | SK860314
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249