SVF10N80F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF10N80F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 151 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.15 Ohm
Encapsulados: TO220F
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SVF10N80F datasheet
svf10n80f svf10n80k.pdf
SVF10N80F/K 10A 800V N 2 SVF10N80F/K N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svf10n65f svf10n65t.pdf
SVF10N65T/F_Datasheet 10A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF10N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch
svf10n60cafj.pdf
SVF10N60CAFJ 10A 600V N 2 SVF10N60CAFJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1. 2.
svf10n65t svf10n65f svf10n65k svf10n65s svf10n65str.pdf
SVF10N65T/F/K/S 10A 650V N 2 SVF10N65T/F/K/S N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
Otros transistores... SVD640D , SVD640F , SVD9Z24NT , SVDZ24NT , SVF10N60T , SVF10N60F , SVF10N60S , SVF10N60K , IRLZ44N , SVF10N80K , SVF12N60T , SVF12N60F , SVF12N60S , SVF12N60K , SVF12N65CF , SVF12N65CK , SVF12N65CS .
History: 2SK2422 | SMY52 | HM4412A | 2SK1009 | APT1001RSLC | HF20N60 | ASDM3401ZB
History: 2SK2422 | SMY52 | HM4412A | 2SK1009 | APT1001RSLC | HF20N60 | ASDM3401ZB
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