SVF10N80F - описание и поиск аналогов

 

SVF10N80F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF10N80F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 151 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.15 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SVF10N80F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF10N80F даташит

 ..1. Size:567K  silan
 svf10n80f svf10n80k.pdf pdf_icon

SVF10N80F

SVF10N80F/K 10A 800V N 2 SVF10N80F/K N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 8.1. Size:601K  1
 svf10n65f svf10n65t.pdf pdf_icon

SVF10N80F

SVF10N65T/F_Datasheet 10A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF10N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch

 8.2. Size:324K  silan
 svf10n60cafj.pdf pdf_icon

SVF10N80F

SVF10N60CAFJ 10A 600V N 2 SVF10N60CAFJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1. 2.

 8.3. Size:403K  silan
 svf10n65t svf10n65f svf10n65k svf10n65s svf10n65str.pdf pdf_icon

SVF10N80F

SVF10N65T/F/K/S 10A 650V N 2 SVF10N65T/F/K/S N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVD640D , SVD640F , SVD9Z24NT , SVDZ24NT , SVF10N60T , SVF10N60F , SVF10N60S , SVF10N60K , IRLZ44N , SVF10N80K , SVF12N60T , SVF12N60F , SVF12N60S , SVF12N60K , SVF12N65CF , SVF12N65CK , SVF12N65CS .

History: IPD78CN10N | 10N12 | FDB0170N607L | JMSL0401AGQ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.