SVF10N80K Todos los transistores

 

SVF10N80K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF10N80K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 151 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
     - Selección de transistores por parámetros

 

SVF10N80K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:567K  silan
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SVF10N80K

SVF10N80F/K 10A800V N 2SVF10N80F/K N MOS F-CellTM VDMOS 13

 8.1. Size:601K  1
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SVF10N80K

SVF10N65T/F_Datasheet 10A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF10N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch

 8.2. Size:324K  silan
svf10n60cafj.pdf pdf_icon

SVF10N80K

SVF10N60CAFJ 10A600V N 2SVF10N60CAFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.

 8.3. Size:403K  silan
svf10n65t svf10n65f svf10n65k svf10n65s svf10n65str.pdf pdf_icon

SVF10N80K

SVF10N65T/F/K/S 10A650V N 2SVF10N65T/F/K/S N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: DMP1096UCB4 | SMOS44N80 | AM2336N-T1 | G11 | CEF05N6 | UPA2720AGR

 

 
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