Справочник MOSFET. SVF10N80K

 

SVF10N80K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVF10N80K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 33 nC
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 151 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.15 Ohm
   Тип корпуса: TO262

 Аналог (замена) для SVF10N80K

 

 

SVF10N80K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:567K  silan
svf10n80f svf10n80k.pdf

SVF10N80K
SVF10N80K

SVF10N80F/K 10A800V N 2SVF10N80F/K N MOS F-CellTM VDMOS 13

 8.1. Size:601K  1
svf10n65f svf10n65t.pdf

SVF10N80K
SVF10N80K

SVF10N65T/F_Datasheet 10A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF10N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch

 8.2. Size:324K  silan
svf10n60cafj.pdf

SVF10N80K
SVF10N80K

SVF10N60CAFJ 10A600V N 2SVF10N60CAFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.

 8.3. Size:403K  silan
svf10n65t svf10n65f svf10n65k svf10n65s svf10n65str.pdf

SVF10N80K
SVF10N80K

SVF10N65T/F/K/S 10A650V N 2SVF10N65T/F/K/S N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 8.4. Size:290K  silan
svf10n65cfj.pdf

SVF10N80K
SVF10N80K

SVF10N65CFJ_Datasheet 10A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF10N65CFJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand

 8.5. Size:301K  silan
svf10n60t svf10n60f svf10n60s svf10n60k.pdf

SVF10N80K
SVF10N80K

SVF10N60T/F/S/K 10A600V N 2SVF10N60T/F/S/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3TO-263-2L1

 8.6. Size:690K  silan
svf10n60f svf10n60s svf10n60str svf10n60k.pdf

SVF10N80K
SVF10N80K

SVF10N60F/T/S/K 10A600V N SVF10N60F/T/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 8.7. Size:361K  silan
svf10n65cf svf10n65ck svf10n65cfjh.pdf

SVF10N80K
SVF10N80K

SVF10N65CF/K/FJH 10A650V N 2SVF10N65CF/K/FJH N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.

 8.8. Size:414K  silan
svf10n65ca.pdf

SVF10N80K
SVF10N80K

SVF10N65CA 10A650V N 2SVF10N65CA N MOS F-CellTM VDMOS 13

 8.9. Size:577K  silan
svf10n60cfj.pdf

SVF10N80K
SVF10N80K

SVF10N60CFJ 10A600V N 2SVF10N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top