SVF12N60S Todos los transistores

 

SVF12N60S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF12N60S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 33.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 51.93 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 152 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

SVF12N60S Datasheet (PDF)

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SVF12N60S

SVF12N60F/S/K 12A600V N 2SVF12N60F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3

 ..2. Size:459K  silan
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SVF12N60S

SVF12N60T/F/S/K 12A600V N SVF12N60T/F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

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SVF12N60S

SVF12N60CF 12A600V N 2SVF12N60CF N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

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SVF12N60S

SVF12N60CFJ 12A600V N 2SVF12N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

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