Справочник MOSFET. SVF12N60S

 

SVF12N60S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF12N60S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 33.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 51.93 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF12N60S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:366K  silan
 svf12n60f svf12n60s svf12n60str svf12n60k.pdf pdf_icon

SVF12N60S

SVF12N60F/S/K 12A600V N 2SVF12N60F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3

 ..2. Size:459K  silan
 svf12n60t svf12n60f svf12n60s svf12n60k.pdf pdf_icon

SVF12N60S

SVF12N60T/F/S/K 12A600V N SVF12N60T/F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 6.1. Size:325K  silan
 svf12n60cf.pdf pdf_icon

SVF12N60S

SVF12N60CF 12A600V N 2SVF12N60CF N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 6.2. Size:329K  silan
 svf12n60cfj.pdf pdf_icon

SVF12N60S

SVF12N60CFJ 12A600V N 2SVF12N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.