SVF12N60S - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SVF12N60S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SVF12N60S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 33.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 51.93 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SVF12N60S

SVF12N60S Datasheet (PDF)

..1. Size:366K silan
svf12n60f svf12n60s svf12n60str svf12n60k.pdf

SVF12N60F/S/K 12A600V N 2SVF12N60F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3

..2. Size:459K silan
svf12n60t svf12n60f svf12n60s svf12n60k.pdf

SVF12N60T/F/S/K 12A600V N SVF12N60T/F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

6.1. Size:325K silan
svf12n60cf.pdf

SVF12N60CF 12A600V N 2SVF12N60CF N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

6.2. Size:329K silan
svf12n60cfj.pdf

SVF12N60CFJ 12A600V N 2SVF12N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

7.1. Size:586K 1
svf12n65f svf12n65t.pdf

SVF12N65T/F_Datasheet 12A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF12N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch

7.2. Size:394K silan
svf12n65f svf12n65k svf12n65s svf12n65str.pdf