MNT-LB32N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MNT-LB32N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Encapsulados: SMARTC2
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MNT-LB32N20 datasheet
mnt-lb32n16 mnt-lb32n20.pdf
MNT - LB32N16 MNT - LB32N20 MECHANICAL DATA Dimensions in mm SMARTPACK POWER MODULE 24.0 10.5 POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS FEATURES N - CHANNEL POWER MOSFETS 4.25 HIGH SPEED SWITCHING SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED HIGH VOLTAGE (160V & 200V) HIGH ENERGY RATING 43.5 ENHANCEMENT MODE CASE 2 INTEGRAL PROTECTION DIODE P - CHANNEL AVAI
Otros transistores... MEM554 , MEM554C , MEM564C , MEM610 , MEM614 , MMBF170 , MNT-LB32N16 , MNT-LB32N16-C4 , 2SK3568 , MNT-LB32N20-C4 , MTB30N06VL , MTB30P06V , MTB35N06ZL , MTP10N10M , MTP3055E , MTP3055EFI , MTP30N05E .
History: FQD2N80 | MEM564C
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Liste
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