MNT-LB32N20 Todos los transistores

 

MNT-LB32N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MNT-LB32N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMARTC2
     - Selección de transistores por parámetros

 

MNT-LB32N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:20K  magnatec
 mnt-lb32n16 mnt-lb32n20.pdf pdf_icon

MNT-LB32N20

MNT - LB32N16 MNT - LB32N20 MECHANICAL DATADimensions in mmSMARTPACK POWER MODULE24.010.5POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONSFEATURES N - CHANNEL POWER MOSFETS 4.25 HIGH SPEED SWITCHING SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED HIGH VOLTAGE (160V & 200V) HIGH ENERGY RATING43.5 ENHANCEMENT MODECASE 2 INTEGRAL PROTECTION DIODE P - CHANNEL AVAI

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History: IRF9Z24NS | SVF7N60CF | IRF7309IPBF | IRLU3110ZPBF | WFY3N02 | APT904R2AN | FRS430R

 

 
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