MNT-LB32N20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MNT-LB32N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: SMARTC2
Аналог (замена) для MNT-LB32N20
MNT-LB32N20 Datasheet (PDF)
mnt-lb32n16 mnt-lb32n20.pdf
MNT - LB32N16 MNT - LB32N20 MECHANICAL DATADimensions in mmSMARTPACK POWER MODULE24.010.5POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONSFEATURES N - CHANNEL POWER MOSFETS 4.25 HIGH SPEED SWITCHING SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED HIGH VOLTAGE (160V & 200V) HIGH ENERGY RATING43.5 ENHANCEMENT MODECASE 2 INTEGRAL PROTECTION DIODE P - CHANNEL AVAI
Другие MOSFET... MEM554 , MEM554C , MEM564C , MEM610 , MEM614 , MMBF170 , MNT-LB32N16 , MNT-LB32N16-C4 , STF13NM60N , MNT-LB32N20-C4 , MTB30N06VL , MTB30P06V , MTB35N06ZL , MTP10N10M , MTP3055E , MTP3055EFI , MTP30N05E .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918