MNT-LB32N20-C4 Todos los transistores

 

MNT-LB32N20-C4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MNT-LB32N20-C4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: SMARTC4

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MNT-LB32N20-C4 datasheet

 3.1. Size:20K  magnatec
 mnt-lb32n16 mnt-lb32n20.pdf pdf_icon

MNT-LB32N20-C4

MNT - LB32N16 MNT - LB32N20 MECHANICAL DATA Dimensions in mm SMARTPACK POWER MODULE 24.0 10.5 POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS FEATURES N - CHANNEL POWER MOSFETS 4.25 HIGH SPEED SWITCHING SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED HIGH VOLTAGE (160V & 200V) HIGH ENERGY RATING 43.5 ENHANCEMENT MODE CASE 2 INTEGRAL PROTECTION DIODE P - CHANNEL AVAI

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