Справочник MOSFET. MNT-LB32N20-C4

 

MNT-LB32N20-C4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MNT-LB32N20-C4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: SMARTC4
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MNT-LB32N20-C4 Datasheet (PDF)

 3.1. Size:20K  magnatec
 mnt-lb32n16 mnt-lb32n20.pdf pdf_icon

MNT-LB32N20-C4

MNT - LB32N16 MNT - LB32N20 MECHANICAL DATADimensions in mmSMARTPACK POWER MODULE24.010.5POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONSFEATURES N - CHANNEL POWER MOSFETS 4.25 HIGH SPEED SWITCHING SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED HIGH VOLTAGE (160V & 200V) HIGH ENERGY RATING43.5 ENHANCEMENT MODECASE 2 INTEGRAL PROTECTION DIODE P - CHANNEL AVAI

Другие MOSFET... MEM554C , MEM564C , MEM610 , MEM614 , MMBF170 , MNT-LB32N16 , MNT-LB32N16-C4 , MNT-LB32N20 , IRF830 , MTB30N06VL , MTB30P06V , MTB35N06ZL , MTP10N10M , MTP3055E , MTP3055EFI , MTP30N05E , MTP30N08M .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.