SVF1N60AD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF1N60AD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23.4 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.1 Ohm

Encapsulados: TO252

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SVF1N60AD datasheet

 ..1. Size:522K  silan
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SVF1N60AD

SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H 1A 600V N 2 1 2 3 SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N MOS TO-251D-3L F-CellTM VDMOS 1 1 3 2 3

 7.1. Size:606K  silan
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SVF1N60AD

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