Справочник MOSFET. SVF1N60AD

 

SVF1N60AD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF1N60AD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23.4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.1 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SVF1N60AD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF1N60AD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:522K  silan
 svf1n60am svf1n60amj svf1n60ab svf1n60ad svf1n60af svf1n60ah.pdf pdf_icon

SVF1N60AD

SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H 1A600V N 2123SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N MOS TO-251D-3L F-CellTM VDMOS 11323

 7.1. Size:606K  silan
 svf1n60m svf1n60mj svf1n60n svf1n60b svf1n60d.pdf pdf_icon

SVF1N60AD

SVF1N60M/MJ/N/B/D 1A600V N 21SVF1N60M/MJ/N/B/D N MOS 3TO-252-2L F-CellTM VDMOS 1132

Другие MOSFET... SVF18N50PN , SVF18N50FJ , SVF18N65F , SVF18N65T , SVF18N65PN , SVF1N60AM , SVF1N60AMJ , SVF1N60AB , SPP20N60C3 , SVF1N60AF , SVF1N60AH , SVF1N60M , SVF1N60MJ , SVF1N60N , SVF1N60B , SVF1N60D , SVF20N60F .

 

 
Back to Top

 


 
.