SVF2N60NF MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SVF2N60NF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF2N60NF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 16 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm

Encapsulados: TO126F

Búsqueda de reemplazo de SVF2N60NF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

SVF2N60NF datasheet

..1. Size:692K silan
svf2n60m svf2n60mj svf2n60nf svf2n60f svf2n60d.pdf pdf_icon

SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A 600V N 2 SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 1 2 3 3 TO-126F-3L

..2. Size:362K silan
svf2n60nf svf2n60f.pdf pdf_icon

..3. Size:519K silan
svf2n60m svf2n60mj svf2n60n svf2n60nf svf2n60f svf2n60t svf2n60d.pdf pdf_icon

SVF2N60M/MJ/N/NF/F/T/D_Datasheet 2A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION 2 SVF2N60M(MJ)(N)(NF)(F)(T)(D) is an N-channel enhancement mode 1 3 TO-252-2L power MOS field effect transistor which is produced using Silan 1 proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved 3 1 process and cell structure have been especially tailored to minimize 2 3 1.Gate 2.Dra

6.1. Size:600K silan
svf2n60m svf2n60mj svf2n60n svf2n60f svf2n60t svf2n60d.pdf pdf_icon

Otros transistores... SVF2N60CN, SVF2N60CNF, SVF2N60CM, SVF2N60CMJ, SVF2N60CF, SVF2N60CD, SVF2N60MJ, SVF2N60N, TK10A60D, SVF2N60RD, SVF2N60RM, SVF2N60RMJ, SVF2N65N, SVF2N65MJ, SVF2N65D, SVF2N70M, SVF2N70MJ

SVF2N60NF Todos los transistores