SVF2N60NF Todos los transistores

 

SVF2N60NF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF2N60NF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 16 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO126F
 

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SVF2N60NF Datasheet (PDF)

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SVF2N60NF

SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A600V N 2SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 123 3TO-126F-3L

 ..2. Size:362K  silan
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SVF2N60NF

SVF2N60NF(F) 2A600V N 2SVF2N60NF(F) N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

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SVF2N60NF

SVF2N60M/MJ/N/NF/F/T/D_Datasheet 2A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION 2SVF2N60M(MJ)(N)(NF)(F)(T)(D) is an N-channel enhancement mode 13TO-252-2Lpower MOS field effect transistor which is produced using Silan 1proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved 31process and cell structure have been especially tailored to minimize 231.Gate 2.Dra

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SVF2N60NF

SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 2A600V N SVF2N60M/MJ/N/F/T/D NMOSF-CellTMVDMOS

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History: BRCS070N03DP | 2N7002TC | IPA041N04NG | 2SK1524 | CJQ9435 | PMPB48EP

 

 
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