Справочник MOSFET. SVF2N60NF

 

SVF2N60NF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF2N60NF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 16 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm
   Тип корпуса: TO126F
 

 Аналог (замена) для SVF2N60NF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF2N60NF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:692K  silan
 svf2n60m svf2n60mj svf2n60nf svf2n60f svf2n60d.pdf pdf_icon

SVF2N60NF

SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A600V N 2SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 123 3TO-126F-3L

 ..2. Size:362K  silan
 svf2n60nf svf2n60f.pdf pdf_icon

SVF2N60NF

SVF2N60NF(F) 2A600V N 2SVF2N60NF(F) N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 ..3. Size:519K  silan
 svf2n60m svf2n60mj svf2n60n svf2n60nf svf2n60f svf2n60t svf2n60d.pdf pdf_icon

SVF2N60NF

SVF2N60M/MJ/N/NF/F/T/D_Datasheet 2A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION 2SVF2N60M(MJ)(N)(NF)(F)(T)(D) is an N-channel enhancement mode 13TO-252-2Lpower MOS field effect transistor which is produced using Silan 1proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved 31process and cell structure have been especially tailored to minimize 231.Gate 2.Dra

 6.1. Size:600K  silan
 svf2n60m svf2n60mj svf2n60n svf2n60f svf2n60t svf2n60d.pdf pdf_icon

SVF2N60NF

SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 2A600V N SVF2N60M/MJ/N/F/T/D NMOSF-CellTMVDMOS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVF2N60CN , SVF2N60CNF , SVF2N60CM , SVF2N60CMJ , SVF2N60CF , SVF2N60CD , SVF2N60MJ , SVF2N60N , IRFZ24N , SVF2N60RD , SVF2N60RM , SVF2N60RMJ , SVF2N65N , SVF2N65MJ , SVF2N65D , SVF2N70M , SVF2N70MJ .

History: PB5A2BX | NTMFS5C456NL | FHD4N65E | 2N7002SESGP | P7006BL

 

 
Back to Top

 


 
.