SVF2N60NF - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

SVF2N60NF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF2N60NF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 16 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm

Тип корпуса: TO126F

Аналог (замена) для SVF2N60NF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

SVF2N60NF даташит

..1. Size:692K silan
svf2n60m svf2n60mj svf2n60nf svf2n60f svf2n60d.pdf pdf_icon

SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A 600V N 2 SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 1 2 3 3 TO-126F-3L

..2. Size:362K silan
svf2n60nf svf2n60f.pdf pdf_icon

..3. Size:519K silan
svf2n60m svf2n60mj svf2n60n svf2n60nf svf2n60f svf2n60t svf2n60d.pdf pdf_icon

SVF2N60M/MJ/N/NF/F/T/D_Datasheet 2A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION 2 SVF2N60M(MJ)(N)(NF)(F)(T)(D) is an N-channel enhancement mode 1 3 TO-252-2L power MOS field effect transistor which is produced using Silan 1 proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved 3 1 process and cell structure have been especially tailored to minimize 2 3 1.Gate 2.Dra

6.1. Size:600K silan
svf2n60m svf2n60mj svf2n60n svf2n60f svf2n60t svf2n60d.pdf pdf_icon