MTB35N06ZL Todos los transistores

 

MTB35N06ZL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTB35N06ZL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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MTB35N06ZL datasheet

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MTB35N06ZL

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTB35N06ZL/D Product Preview MTB35N06ZL HDTMOS E-FET. High Energy Power FET D2PAK for Surface Mount TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 35 AMPERES 60 VOLTS This advanced high voltage TMOS E FET is designed to RDS(on) = 26 m withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.

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MTB35N06ZL

Spec. No. C453J3 Issued Date 2009.03.11 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40V MTB35N04J3 ID 12A 35m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTB35N04J3 TO-252 G D S G Gate D Drain S S

Otros transistores... MEM614 , MMBF170 , MNT-LB32N16 , MNT-LB32N16-C4 , MNT-LB32N20 , MNT-LB32N20-C4 , MTB30N06VL , MTB30P06V , SI2302 , MTP10N10M , MTP3055E , MTP3055EFI , MTP30N05E , MTP30N08M , MTP3N50E , MTP3N60 , MTP3N60FI .

History: BSH111BK | CPC3720C | SML4065AN

 

 

 

 

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