MTB35N06ZL Todos los transistores

 

MTB35N06ZL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTB35N06ZL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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MTB35N06ZL Datasheet (PDF)

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MTB35N06ZL

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB35N06ZL/DProduct PreviewMTB35N06ZLHDTMOS E-FET.High Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 35 AMPERES60 VOLTSThis advanced high voltage TMOS EFET is designed toRDS(on) = 26 mwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.

 7.1. Size:259K  cystek
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MTB35N06ZL

Spec. No. : C453J3 Issued Date : 2009.03.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40VMTB35N04J3 ID 12A35m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTB35N04J3 TO-252 G D S GGate DDrain SS

Otros transistores... MEM614 , MMBF170 , MNT-LB32N16 , MNT-LB32N16-C4 , MNT-LB32N20 , MNT-LB32N20-C4 , MTB30N06VL , MTB30P06V , IRFZ46N , MTP10N10M , MTP3055E , MTP3055EFI , MTP30N05E , MTP30N08M , MTP3N50E , MTP3N60 , MTP3N60FI .

 

 
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