Справочник MOSFET. MTB35N06ZL

 

MTB35N06ZL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTB35N06ZL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для MTB35N06ZL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB35N06ZL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  motorola
 mtb35n06zl.pdf pdf_icon

MTB35N06ZL

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB35N06ZL/DProduct PreviewMTB35N06ZLHDTMOS E-FET.High Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 35 AMPERES60 VOLTSThis advanced high voltage TMOS EFET is designed toRDS(on) = 26 mwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.

 7.1. Size:259K  cystek
 mtb35n04j3.pdf pdf_icon

MTB35N06ZL

Spec. No. : C453J3 Issued Date : 2009.03.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40VMTB35N04J3 ID 12A35m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTB35N04J3 TO-252 G D S GGate DDrain SS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.