MTB35N06ZL - аналоги и даташиты транзистора

 

MTB35N06ZL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTB35N06ZL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для MTB35N06ZL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB35N06ZL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  motorola
 mtb35n06zl.pdf pdf_icon

MTB35N06ZL

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB35N06ZL/DProduct PreviewMTB35N06ZLHDTMOS E-FET.High Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 35 AMPERES60 VOLTSThis advanced high voltage TMOS EFET is designed toRDS(on) = 26 mwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.

 7.1. Size:259K  cystek
 mtb35n04j3.pdf pdf_icon

MTB35N06ZL

Spec. No. : C453J3 Issued Date : 2009.03.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40VMTB35N04J3 ID 12A35m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTB35N04J3 TO-252 G D S GGate DDrain SS

Другие MOSFET... MEM614 , MMBF170 , MNT-LB32N16 , MNT-LB32N16-C4 , MNT-LB32N20 , MNT-LB32N20-C4 , MTB30N06VL , MTB30P06V , SI2302 , MTP10N10M , MTP3055E , MTP3055EFI , MTP30N05E , MTP30N08M , MTP3N50E , MTP3N60 , MTP3N60FI .

History: RU602B | WMB128N10T2 | WMO08N65EM | WMK12N100C2 | WMK07N105C2 | WMP10N60C4

 

 
Back to Top

 


 
.