MTB35N06ZL - описание и поиск аналогов

 

MTB35N06ZL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTB35N06ZL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для MTB35N06ZL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB35N06ZL даташит

 ..1. Size:104K  motorola
 mtb35n06zl.pdf pdf_icon

MTB35N06ZL

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTB35N06ZL/D Product Preview MTB35N06ZL HDTMOS E-FET. High Energy Power FET D2PAK for Surface Mount TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 35 AMPERES 60 VOLTS This advanced high voltage TMOS E FET is designed to RDS(on) = 26 m withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.

 7.1. Size:259K  cystek
 mtb35n04j3.pdf pdf_icon

MTB35N06ZL

Spec. No. C453J3 Issued Date 2009.03.11 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40V MTB35N04J3 ID 12A 35m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTB35N04J3 TO-252 G D S G Gate D Drain S S

Другие MOSFET... MEM614 , MMBF170 , MNT-LB32N16 , MNT-LB32N16-C4 , MNT-LB32N20 , MNT-LB32N20-C4 , MTB30N06VL , MTB30P06V , SI2302 , MTP10N10M , MTP3055E , MTP3055EFI , MTP30N05E , MTP30N08M , MTP3N50E , MTP3N60 , MTP3N60FI .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.