SVF2N65N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF2N65N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm

Encapsulados: TO126

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SVF2N65N datasheet

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SVF2N65N

SVF2N65F/N/MJ/D 2A 650V N SVF2N65F/N/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS

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SVF2N65N

SVF2N65F_Datasheet 2A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF2N65F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guarding ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

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SVF2N65N

SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A 600V N 2 SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 1 2 3 3 TO-126F-3L

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SVF2N65N

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