SVF2N65N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF2N65N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 34.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm

Тип корпуса: TO126

Аналог (замена) для SVF2N65N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF2N65N даташит

 ..1. Size:479K  silan
 svf2n65f svf2n65n svf2n65mj svf2n65d.pdf pdf_icon

SVF2N65N

SVF2N65F/N/MJ/D 2A 650V N SVF2N65F/N/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS

 7.1. Size:542K  silan
 svf2n65f.pdf pdf_icon

SVF2N65N

SVF2N65F_Datasheet 2A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF2N65F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guarding ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

 8.1. Size:692K  silan
 svf2n60m svf2n60mj svf2n60nf svf2n60f svf2n60d.pdf pdf_icon

SVF2N65N

SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A 600V N 2 SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 1 2 3 3 TO-126F-3L

 8.2. Size:362K  silan
 svf2n60nf svf2n60f.pdf pdf_icon

SVF2N65N

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVF2N60CF, SVF2N60CD, SVF2N60MJ, SVF2N60N, SVF2N60NF, SVF2N60RD, SVF2N60RM, SVF2N60RMJ, IRFP250, SVF2N65MJ, SVF2N65D, SVF2N70M, SVF2N70MJ, SVF2N70F, SVF2N70D, SVF2N70NF, TSM1N45CW