Справочник MOSFET. SVF2N65N

 

SVF2N65N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF2N65N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 34.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO126
 

 Аналог (замена) для SVF2N65N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF2N65N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:479K  silan
 svf2n65f svf2n65n svf2n65mj svf2n65d.pdf pdf_icon

SVF2N65N

SVF2N65F/N/MJ/D 2A650V N SVF2N65F/N/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS

 7.1. Size:542K  silan
 svf2n65f.pdf pdf_icon

SVF2N65N

SVF2N65F_Datasheet 2A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF2N65F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryF-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guarding ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

 8.1. Size:692K  silan
 svf2n60m svf2n60mj svf2n60nf svf2n60f svf2n60d.pdf pdf_icon

SVF2N65N

SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A600V N 2SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 123 3TO-126F-3L

 8.2. Size:362K  silan
 svf2n60nf svf2n60f.pdf pdf_icon

SVF2N65N

SVF2N60NF(F) 2A600V N 2SVF2N60NF(F) N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVF2N60CF , SVF2N60CD , SVF2N60MJ , SVF2N60N , SVF2N60NF , SVF2N60RD , SVF2N60RM , SVF2N60RMJ , STF13NM60N , SVF2N65MJ , SVF2N65D , SVF2N70M , SVF2N70MJ , SVF2N70F , SVF2N70D , SVF2N70NF , TSM1N45CW .

History: APT6017B2FLLG | APT1201R2SFLLG | SI1441EDH | MIC94053YC6TR | FQB46N15TMAM002 | DMP3085LSD | AP3989R

 

 
Back to Top

 


 
.