TSM210N06CZ Todos los transistores

 

TSM210N06CZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSM210N06CZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 210 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 780 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0031 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

TSM210N06CZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  taiwansemi
 tsm210n06cz.pdf pdf_icon

TSM210N06CZ

TSM210N06 60V N-Channel Power MOSFET TO-220 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 3. Source 60 3.1 @ VGS =10V 210 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low RDS(ON) 3.1m (Max.) Low gate charge typical @ 160nC (Typ.) Low Crss typical @ 300pF (Typ.) Ordering Information Part No. Package Packing

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 2SK1351 | LSGE06R034W3 | ATP107 | BSC059N04LS6 | NTD65N03R-035 | AP09T10GK-HF | TK4P60D

 

 
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