Справочник MOSFET. TSM210N06CZ

 

TSM210N06CZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TSM210N06CZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 250 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 210 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 160 nC
   Время нарастания (tr): 40 ns
   Выходная емкость (Cd): 780 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0031 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для TSM210N06CZ

 

 

TSM210N06CZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  taiwansemi
tsm210n06cz.pdf

TSM210N06CZ TSM210N06CZ

TSM210N06 60V N-Channel Power MOSFET TO-220 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 3. Source 60 3.1 @ VGS =10V 210 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low RDS(ON) 3.1m (Max.) Low gate charge typical @ 160nC (Typ.) Low Crss typical @ 300pF (Typ.) Ordering Information Part No. Package Packing

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top