TSM210N06CZ - аналоги и даташиты транзистора

 

TSM210N06CZ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TSM210N06CZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TSM210N06CZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM210N06CZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  taiwansemi
 tsm210n06cz.pdf pdf_icon

TSM210N06CZ

TSM210N06 60V N-Channel Power MOSFET TO-220 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 3. Source 60 3.1 @ VGS =10V 210 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low RDS(ON) 3.1m (Max.) Low gate charge typical @ 160nC (Typ.) Low Crss typical @ 300pF (Typ.) Ordering Information Part No. Package Packing

Другие MOSFET... TSM1N80CW , TSM1N80SCT , TSM1NB60CH , TSM1NB60CP , TSM1NB60CW , TSM1NB60SCT , TSM20N50CI , TSM20N50CZ , 7N60 , TSM2301ACX , TSM2301BCX , TSM2301CX , TSM2302CX , TSM2303CX , TSM2305CX , TSM2306CX , TSM2307CX .

 

 
Back to Top

 


 
.