TSM210N06CZ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TSM210N06CZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для TSM210N06CZ
TSM210N06CZ Datasheet (PDF)
tsm210n06cz.pdf

TSM210N06 60V N-Channel Power MOSFET TO-220 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 3. Source 60 3.1 @ VGS =10V 210 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low RDS(ON) 3.1m (Max.) Low gate charge typical @ 160nC (Typ.) Low Crss typical @ 300pF (Typ.) Ordering Information Part No. Package Packing
Другие MOSFET... TSM1N80CW , TSM1N80SCT , TSM1NB60CH , TSM1NB60CP , TSM1NB60CW , TSM1NB60SCT , TSM20N50CI , TSM20N50CZ , IRF830 , TSM2301ACX , TSM2301BCX , TSM2301CX , TSM2302CX , TSM2303CX , TSM2305CX , TSM2306CX , TSM2307CX .
History: AO4724 | BUK9K52-60E | IPD60R280PFD7S | NTMS4801NR2G | CEP13N5 | PT676BA | PV563BA
History: AO4724 | BUK9K52-60E | IPD60R280PFD7S | NTMS4801NR2G | CEP13N5 | PT676BA | PV563BA



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent | 2sc4883 | tip31a datasheet