TSM210N06CZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSM210N06CZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для TSM210N06CZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM210N06CZ даташит

 ..1. Size:62K  taiwansemi
 tsm210n06cz.pdf pdf_icon

TSM210N06CZ

TSM210N06 60V N-Channel Power MOSFET TO-220 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Drain 3. Source 60 3.1 @ VGS =10V 210 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low RDS(ON) 3.1m (Max.) Low gate charge typical @ 160nC (Typ.) Low Crss typical @ 300pF (Typ.) Ordering Information Part No. Package Packing

Другие IGBT... TSM1N80CW, TSM1N80SCT, TSM1NB60CH, TSM1NB60CP, TSM1NB60CW, TSM1NB60SCT, TSM20N50CI, TSM20N50CZ, 7N60, TSM2301ACX, TSM2301BCX, TSM2301CX, TSM2302CX, TSM2303CX, TSM2305CX, TSM2306CX, TSM2307CX