TSM2611EDCX6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSM2611EDCX6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 144 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SOT-26

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TSM2611EDCX6 datasheet

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TSM2611EDCX6

TSM2611ED 20V Dual N-Channel MOSFET w/ESD Protected SOT-26 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Source 1 6. Gate 1 VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Drain 1 5. Drain 2 3. Source 2 4. Gate 2 20 @ VGS = 4.5V 6 20 28 @ VGS = 2.5V 5 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On resistance ESD Protected HBM

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