TSM2611EDCX6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSM2611EDCX6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 144 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-26
Búsqueda de reemplazo de TSM2611EDCX6 MOSFET
TSM2611EDCX6 Datasheet (PDF)
tsm2611edcx6.pdf
TSM2611ED 20V Dual N-Channel MOSFET w/ESD Protected SOT-26 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Source 1 6. Gate 1 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 1 5. Drain 2 3. Source 2 4. Gate 2 20 @ VGS = 4.5V 6 20 28 @ VGS = 2.5V 5 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On resistance ESD Protected HBM
Otros transistores... TSM2312CX , TSM2313CX , TSM2314CX , TSM2318CX , TSM2323CX , TSM2328CX , TSM23N50CN , TSM25N03CP , IRF740 , TSM2N60CH , TSM2N60CP , TSM2N60CZ , TSM2N60SCW , TSM2N7000KCT , TSM2N7002KCU , TSM2N7002KCX , TSM2N7002KDCU6 .
Liste
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