Справочник MOSFET. TSM2611EDCX6

 

TSM2611EDCX6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TSM2611EDCX6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.83 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 13.5 nC
   Время нарастания (tr): 12 ns
   Выходная емкость (Cd): 144 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26

 Аналог (замена) для TSM2611EDCX6

 

 

TSM2611EDCX6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  taiwansemi
 tsm2611edcx6.pdf

TSM2611EDCX6 TSM2611EDCX6

TSM2611ED 20V Dual N-Channel MOSFET w/ESD Protected SOT-26 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Source 1 6. Gate 1 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 1 5. Drain 2 3. Source 2 4. Gate 2 20 @ VGS = 4.5V 6 20 28 @ VGS = 2.5V 5 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On resistance ESD Protected HBM

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top