Справочник MOSFET. TSM2611EDCX6

 

TSM2611EDCX6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TSM2611EDCX6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26

 Аналог (замена) для TSM2611EDCX6

 

 

TSM2611EDCX6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  taiwansemi
 tsm2611edcx6.pdf

TSM2611EDCX6 TSM2611EDCX6

TSM2611ED 20V Dual N-Channel MOSFET w/ESD Protected SOT-26 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Source 1 6. Gate 1 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 1 5. Drain 2 3. Source 2 4. Gate 2 20 @ VGS = 4.5V 6 20 28 @ VGS = 2.5V 5 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On resistance ESD Protected HBM

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 2SK3209

 

 
Back to Top