Справочник MOSFET. TSM2611EDCX6

 

TSM2611EDCX6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSM2611EDCX6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26
 

 Аналог (замена) для TSM2611EDCX6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM2611EDCX6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  taiwansemi
 tsm2611edcx6.pdf pdf_icon

TSM2611EDCX6

TSM2611ED 20V Dual N-Channel MOSFET w/ESD Protected SOT-26 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Source 1 6. Gate 1 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 1 5. Drain 2 3. Source 2 4. Gate 2 20 @ VGS = 4.5V 6 20 28 @ VGS = 2.5V 5 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On resistance ESD Protected HBM

Другие MOSFET... TSM2312CX , TSM2313CX , TSM2314CX , TSM2318CX , TSM2323CX , TSM2328CX , TSM23N50CN , TSM25N03CP , IRF740 , TSM2N60CH , TSM2N60CP , TSM2N60CZ , TSM2N60SCW , TSM2N7000KCT , TSM2N7002KCU , TSM2N7002KCX , TSM2N7002KDCU6 .

History: 2SK2016 | AM5430N | SPI80N06S-80 | VS6880AT | RJK1001DPP-E0 | SIHFP340

 

 
Back to Top

 


 
.