TSM2611EDCX6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSM2611EDCX6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOT-26

Аналог (замена) для TSM2611EDCX6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM2611EDCX6 даташит

 ..1. Size:355K  taiwansemi
 tsm2611edcx6.pdf pdf_icon

TSM2611EDCX6

TSM2611ED 20V Dual N-Channel MOSFET w/ESD Protected SOT-26 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Source 1 6. Gate 1 VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Drain 1 5. Drain 2 3. Source 2 4. Gate 2 20 @ VGS = 4.5V 6 20 28 @ VGS = 2.5V 5 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On resistance ESD Protected HBM

Другие IGBT... TSM2312CX, TSM2313CX, TSM2314CX, TSM2318CX, TSM2323CX, TSM2328CX, TSM23N50CN, TSM25N03CP, IRF740, TSM2N60CH, TSM2N60CP, TSM2N60CZ, TSM2N60SCW, TSM2N7000KCT, TSM2N7002KCU, TSM2N7002KCX, TSM2N7002KDCU6