TSM301K12CQ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSM301K12CQ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 295 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9.7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.094 Ohm

Encapsulados: TDFN2X2

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TSM301K12CQ datasheet

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TSM301K12CQ

TSM301K12 20V P-Channel MOSFET with Schottky Diode TDFN 2x2 PRODUCT SUMMARY Pin Definition 1. Anode 6. Cathode VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. NC 5. Gate 3. Drain 4. Source 94 @ VGS = -4.5V -2.8 -20 131 @ VGS = -2.5V -2.3 185 @ VGS = -1.8V -0.54 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VR (V) VF (V) IF (A) 20 0.5 2 Block Diagram Features Configuration with MOSFET and L

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