TSM301K12CQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSM301K12CQ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 295 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9.7 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.094 Ohm
Paquete / Cubierta: TDFN2X2
Búsqueda de reemplazo de TSM301K12CQ MOSFET
TSM301K12CQ Datasheet (PDF)
tsm301k12cq.pdf

TSM301K12 20V P-Channel MOSFET with Schottky Diode TDFN 2x2 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Anode 6. Cathode VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. NC 5. Gate 3. Drain 4. Source 94 @ VGS = -4.5V -2.8 -20 131 @ VGS = -2.5V -2.3 185 @ VGS = -1.8V -0.54 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VR (V) VF (V) IF (A) 20 0.5 2 Block Diagram Features Configuration with MOSFET and L
Otros transistores... TSM2N7002KDCU6 , TSM2N70CH , TSM2N70CP , TSM2N70CZ , TSM2NB60CH , TSM2NB60CI , TSM2NB60CP , TSM2NB60CZ , P55NF06 , TSM3400CX , TSM3401CX , TSM3404CX , TSM3424CX6 , TSM3433CX6 , TSM3441CX6 , TSM3442CX6 , TSM3443CX6 .
History: HTM150A02 | AP65SL190AP | HFD2N60S | SI4825DY | ME15N25 | RUH60120M | KI1400DL
History: HTM150A02 | AP65SL190AP | HFD2N60S | SI4825DY | ME15N25 | RUH60120M | KI1400DL



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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