TSM301K12CQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TSM301K12CQ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 295 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 9.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.094 Ohm

Тип корпуса: TDFN2X2

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TSM301K12CQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM301K12CQ даташит

 ..1. Size:410K  taiwansemi
 tsm301k12cq.pdf pdf_icon

TSM301K12CQ

TSM301K12 20V P-Channel MOSFET with Schottky Diode TDFN 2x2 PRODUCT SUMMARY Pin Definition 1. Anode 6. Cathode VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. NC 5. Gate 3. Drain 4. Source 94 @ VGS = -4.5V -2.8 -20 131 @ VGS = -2.5V -2.3 185 @ VGS = -1.8V -0.54 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VR (V) VF (V) IF (A) 20 0.5 2 Block Diagram Features Configuration with MOSFET and L

Другие IGBT... TSM2N7002KDCU6, TSM2N70CH, TSM2N70CP, TSM2N70CZ, TSM2NB60CH, TSM2NB60CI, TSM2NB60CP, TSM2NB60CZ, IRF3710, TSM3400CX, TSM3401CX, TSM3404CX, TSM3424CX6, TSM3433CX6, TSM3441CX6, TSM3442CX6, TSM3443CX6