MTP3N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTP3N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Encapsulados: TO220
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MTP3N60 datasheet
mtp3n60.pdf
MTP3N60 MTP3N60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D MTP3N60 600 V
mtp3n60e.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP3N60E/D Designer's Data Sheet MTP3N60E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device High Energy Power FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced high voltage TMOS E FET is designed to 3.0 AMPERES withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. 600 VOLTS This new
mtp3n60erev2.pdf
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History: BSL202SN
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