Справочник MOSFET. MTP3N60

 

MTP3N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP3N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP3N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  st
 mtp3n60.pdf pdf_icon

MTP3N60

MTP3N60MTP3N60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DMTP3N60 600 V

 0.1. Size:188K  motorola
 mtp3n60e.pdf pdf_icon

MTP3N60

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP3N60E/DDesigner's Data SheetMTP3N60ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced high voltage TMOS EFET is designed to3.0 AMPERESwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.600 VOLTSThis new

 0.2. Size:183K  motorola
 mtp3n60erev2.pdf pdf_icon

MTP3N60

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP3N60E/DDesigner's Data SheetMTP3N60ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced high voltage TMOS EFET is designed to3.0 AMPERESwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.600 VOLTSThis new

 0.3. Size:433K  st
 mtp3n60-fi.pdf pdf_icon

MTP3N60

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDG6304P | VTI640 | NDT6N70 | SSU1N60A | 60N05 | IPD50R280CE | AP01N60H-HF

 

 
Back to Top

 


 
.