MTP3N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTP3N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 43 nC
Выходная емкость (Cd): 800 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.5 Ohm
Тип корпуса: TO220
MTP3N60 Datasheet (PDF)
mtp3n60.pdf
MTP3N60MTP3N60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DMTP3N60 600 V
mtp3n60e.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP3N60E/DDesigner's Data SheetMTP3N60ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced high voltage TMOS EFET is designed to3.0 AMPERESwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.600 VOLTSThis new
mtp3n60erev2.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP3N60E/DDesigner's Data SheetMTP3N60ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced high voltage TMOS EFET is designed to3.0 AMPERESwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.600 VOLTSThis new
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
