TSM6866DCA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSM6866DCA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9.95 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Encapsulados: TSSOP-8
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TSM6866DCA datasheet
tsm6866dca.pdf
TSM6866D 20V Dual N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY TSSOP-8 Pin Definition VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 1. Drain 1 8. Drain 2 2. Source 1 7. Source 2 30 @ VGS = 4.5V 6.0 3. Source 1 6. Source 2 20 4. Gate 1 5. Gate 2 40 @ VGS = 2.5V 5.2 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Applica
tsm6866sdca.pdf
TSM6866SD 20V Dual N-Channel MOSFET TSSOP-8 PRODUCT SUMMARY Pin Definition 1. Drain 1 8. Drain 2 VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Source 1 7. Source 2 3. Source 1 6. Source 2 30 @ VGS = 4.5V 6.0 20 4. Gate 1 5. Gate 2 40 @ VGS = 2.5V 5.2 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Applica
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