Справочник MOSFET. TSM6866DCA

 

TSM6866DCA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TSM6866DCA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.86 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9.95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8

 Аналог (замена) для TSM6866DCA

 

 

TSM6866DCA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:391K  taiwansemi
 tsm6866dca.pdf

TSM6866DCA TSM6866DCA

TSM6866D 20V Dual N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY TSSOP-8 Pin Definition: VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 1. Drain 1 8. Drain 2 2. Source 1 7. Source 2 30 @ VGS = 4.5V 6.0 3. Source 1 6. Source 2 20 4. Gate 1 5. Gate 2 40 @ VGS = 2.5V 5.2 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Applica

 7.1. Size:208K  taiwansemi
 tsm6866sdca.pdf

TSM6866DCA TSM6866DCA

TSM6866SD 20V Dual N-Channel MOSFET TSSOP-8 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Drain 1 8. Drain 2 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 1 7. Source 2 3. Source 1 6. Source 2 30 @ VGS = 4.5V 6.0 20 4. Gate 1 5. Gate 2 40 @ VGS = 2.5V 5.2 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Applica

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top