TSM6N50CH Todos los transistores

 

TSM6N50CH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSM6N50CH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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TSM6N50CH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:374K  taiwansemi
 tsm6n50ch tsm6n50ci tsm6n50cp.pdf pdf_icon

TSM6N50CH

TSM6N50 500V N-Channel Power MOSFET ITO-220 TO-252 TO-251 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY (DPAK) (IPAK) 1. Gate VDS (V) RDS(on)() ID (A) 2. Drain 3. Source 500 1.4 @ VGS =10V 2.8 General Description The TSM6N50 N-Channel enhancement mode Power MOSFET is produced by planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-s

Otros transistores... TSM60N06CP , TSM6866DCA , TSM6866SDCA , TSM6963SDCA , TSM6968DCA , TSM6968SDCA , TSM6981DCA , TSM6988DCX6 , IRF740 , TSM6N50CI , TSM6N50CP , TSM70N10CP , TSM7401CS , TSM75N03CP , TSM75N75CZ , TSM7900DCQ , TSM7N60CI .

History: RQJ0305EQDQS | IPD60R1K5CE | NTMFS4C054N | IXFH28N50F | IPD16CN10NG | CHM4435AZGP | FQD13N10LTF

 

 
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