TSM6N50CH - описание и поиск аналогов

 

TSM6N50CH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSM6N50CH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для TSM6N50CH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM6N50CH даташит

 ..1. Size:374K  taiwansemi
 tsm6n50ch tsm6n50ci tsm6n50cp.pdf pdf_icon

TSM6N50CH

TSM6N50 500V N-Channel Power MOSFET ITO-220 TO-252 TO-251 Pin Definition PRODUCT SUMMARY (DPAK) (IPAK) 1. Gate VDS (V) RDS(on)( ) ID (A) 2. Drain 3. Source 500 1.4 @ VGS =10V 2.8 General Description The TSM6N50 N-Channel enhancement mode Power MOSFET is produced by planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-s

Другие MOSFET... TSM60N06CP , TSM6866DCA , TSM6866SDCA , TSM6963SDCA , TSM6968DCA , TSM6968SDCA , TSM6981DCA , TSM6988DCX6 , IRF740 , TSM6N50CI , TSM6N50CP , TSM70N10CP , TSM7401CS , TSM75N03CP , TSM75N75CZ , TSM7900DCQ , TSM7N60CI .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.