TSM7900DCQ Todos los transistores

 

TSM7900DCQ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSM7900DCQ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TDFN3X3

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TSM7900DCQ datasheet

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TSM7900DCQ

TSM7900D 20V Dual N-Channel MOSFET w/ESD Protected PRODUCT SUMMARY TDFN 3x3 Pin Definition 1. Source 1 VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Gate 1 3. Source 2 32 @ VGS = 4.5V 6.5 4. Gate 2 20 40 @ VGS = 2.5V 5.0 5, 6, 7, 8. Drain Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance ESD Protect

Otros transistores... TSM6988DCX6 , TSM6N50CH , TSM6N50CI , TSM6N50CP , TSM70N10CP , TSM7401CS , TSM75N03CP , TSM75N75CZ , IRFZ44 , TSM7N60CI , TSM7N60CZ , TSM7N65CI , TSM7N65CZ , TSM7N90CI , TSM7N90CZ , TSM802CQ , TSM80N08CZ .

History: LSGD10R080W3 | TSM7N65CZ | TSM8N80CI | HM4630D

 

 

 

 

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