TSM7900DCQ Todos los transistores

 

TSM7900DCQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSM7900DCQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDFN3X3
     - Selección de transistores por parámetros

 

TSM7900DCQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  taiwansemi
 tsm7900dcq.pdf pdf_icon

TSM7900DCQ

TSM7900D 20V Dual N-Channel MOSFET w/ESD Protected PRODUCT SUMMARY TDFN 3x3 Pin Definition: 1. Source 1 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Gate 1 3. Source 2 32 @ VGS = 4.5V 6.5 4. Gate 2 20 40 @ VGS = 2.5V 5.0 5, 6, 7, 8. Drain Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance ESD Protect

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History: ME2306BS-G

 

 
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