Справочник MOSFET. TSM7900DCQ

 

TSM7900DCQ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TSM7900DCQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   trⓘ - Время нарастания: 210 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TDFN3X3

 Аналог (замена) для TSM7900DCQ

 

 

TSM7900DCQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  taiwansemi
 tsm7900dcq.pdf

TSM7900DCQ TSM7900DCQ

TSM7900D 20V Dual N-Channel MOSFET w/ESD Protected PRODUCT SUMMARY TDFN 3x3 Pin Definition: 1. Source 1 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Gate 1 3. Source 2 32 @ VGS = 4.5V 6.5 4. Gate 2 20 40 @ VGS = 2.5V 5.0 5, 6, 7, 8. Drain Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance ESD Protect

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top