Справочник MOSFET. TSM7900DCQ

 

TSM7900DCQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSM7900DCQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TDFN3X3
 

 Аналог (замена) для TSM7900DCQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM7900DCQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  taiwansemi
 tsm7900dcq.pdf pdf_icon

TSM7900DCQ

TSM7900D 20V Dual N-Channel MOSFET w/ESD Protected PRODUCT SUMMARY TDFN 3x3 Pin Definition: 1. Source 1 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Gate 1 3. Source 2 32 @ VGS = 4.5V 6.5 4. Gate 2 20 40 @ VGS = 2.5V 5.0 5, 6, 7, 8. Drain Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance ESD Protect

Другие MOSFET... TSM6988DCX6 , TSM6N50CH , TSM6N50CI , TSM6N50CP , TSM70N10CP , TSM7401CS , TSM75N03CP , TSM75N75CZ , IRFZ44 , TSM7N60CI , TSM7N60CZ , TSM7N65CI , TSM7N65CZ , TSM7N90CI , TSM7N90CZ , TSM802CQ , TSM80N08CZ .

History: AO3494 | IRFSZ40 | NCE65N460I | IXFN73N30Q | BLM8205B | NCE65N760F | AP85T03GJ-HF

 

 
Back to Top

 


 
.