TSM7900DCQ - описание и поиск аналогов

 

TSM7900DCQ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSM7900DCQ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TDFN3X3

Аналог (замена) для TSM7900DCQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM7900DCQ даташит

 ..1. Size:341K  taiwansemi
 tsm7900dcq.pdf pdf_icon

TSM7900DCQ

TSM7900D 20V Dual N-Channel MOSFET w/ESD Protected PRODUCT SUMMARY TDFN 3x3 Pin Definition 1. Source 1 VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Gate 1 3. Source 2 32 @ VGS = 4.5V 6.5 4. Gate 2 20 40 @ VGS = 2.5V 5.0 5, 6, 7, 8. Drain Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance ESD Protect

Другие MOSFET... TSM6988DCX6 , TSM6N50CH , TSM6N50CI , TSM6N50CP , TSM70N10CP , TSM7401CS , TSM75N03CP , TSM75N75CZ , IRFZ44 , TSM7N60CI , TSM7N60CZ , TSM7N65CI , TSM7N65CZ , TSM7N90CI , TSM7N90CZ , TSM802CQ , TSM80N08CZ .

History: SVSP11N70SD2 | APT12067B2LL

 

 

 

 

↑ Back to Top
.