NDB410A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NDB410A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
Encapsulados: TO263
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NDB410A datasheet
ndb410ae ndb410b ndb410be ndp410ae ndp410b vndp410be.pdf
May 1994 NDP410A / NDP410AE / NDP410B / NDP410BE NDB410A / NDB410AE / NDB410B / NDB410BE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features These N-channel enhancement mode power field 9 and 8A, 100V. RDS(ON) = 0.25 and 0.30 . effect transistors are produced using Fairchild's Critical DC electrical parameters specified at proprietary, high cell density
Otros transistores... MTP3N60 , MTP3N60FI , MTP6N60 , NDB4050 , NDB4050L , NDB4060 , NDB4060L , NDB408A , IRF1405 , NDB5060 , NDB5060L , NDB508A , NDB510A , NDB6020 , NDB6020P , NDB6030 , NDB6030L .
History: R6520ENZ | BRCS630FA
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