NDB410A Todos los transistores

 

NDB410A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDB410A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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NDB410A Datasheet (PDF)

 0.1. Size:57K  fairchild semi
 ndb410ae ndb410b ndb410be ndp410ae ndp410b vndp410be.pdf pdf_icon

NDB410A

May 1994 NDP410A / NDP410AE / NDP410B / NDP410BENDB410A / NDB410AE / NDB410B / NDB410BEN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesThese N-channel enhancement mode power field9 and 8A, 100V. RDS(ON) = 0.25 and 0.30. effect transistors are produced using Fairchild'sCritical DC electrical parameters specified atproprietary, high cell density

Otros transistores... MTP3N60 , MTP3N60FI , MTP6N60 , NDB4050 , NDB4050L , NDB4060 , NDB4060L , NDB408A , IRF9640 , NDB5060 , NDB5060L , NDB508A , NDB510A , NDB6020 , NDB6020P , NDB6030 , NDB6030L .

History: IRFZ48ZL | IRFSL4115 | AM30N10-50D | BS170D74Z | CS3N40A4H | IRLU8256 | IRFI540G

 

 
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