Справочник MOSFET. NDB410A

 

NDB410A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDB410A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для NDB410A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDB410A Datasheet (PDF)

 0.1. Size:57K  fairchild semi
 ndb410ae ndb410b ndb410be ndp410ae ndp410b vndp410be.pdf pdf_icon

NDB410A

May 1994 NDP410A / NDP410AE / NDP410B / NDP410BENDB410A / NDB410AE / NDB410B / NDB410BEN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesThese N-channel enhancement mode power field9 and 8A, 100V. RDS(ON) = 0.25 and 0.30. effect transistors are produced using Fairchild'sCritical DC electrical parameters specified atproprietary, high cell density

Другие MOSFET... MTP3N60 , MTP3N60FI , MTP6N60 , NDB4050 , NDB4050L , NDB4060 , NDB4060L , NDB408A , NCEP15T14 , NDB5060 , NDB5060L , NDB508A , NDB510A , NDB6020 , NDB6020P , NDB6030 , NDB6030L .

 

 
Back to Top

 


 
.