NDB410A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NDB410A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.25 Ohm
Тип корпуса: TO263
NDB410A Datasheet (PDF)
0.1. Size:57K fairchild semi
ndb410ae ndb410b ndb410be ndp410ae ndp410b vndp410be.pdf
ndb410ae ndb410b ndb410be ndp410ae ndp410b vndp410be.pdf
May 1994 NDP410A / NDP410AE / NDP410B / NDP410BENDB410A / NDB410AE / NDB410B / NDB410BEN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesThese N-channel enhancement mode power field9 and 8A, 100V. RDS(ON) = 0.25 and 0.30. effect transistors are produced using Fairchild'sCritical DC electrical parameters specified atproprietary, high cell density
Другие MOSFET... MTP3N60 , MTP3N60FI , MTP6N60 , NDB4050 , NDB4050L , NDB4060 , NDB4060L , NDB408A , STF13NM60N , NDB5060 , NDB5060L , NDB508A , NDB510A , NDB6020 , NDB6020P , NDB6030 , NDB6030L .
