TSM85N10CZ Todos los transistores

 

TSM85N10CZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSM85N10CZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 81 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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TSM85N10CZ Datasheet (PDF)

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TSM85N10CZ

TSM85N10 100V N-Channel Power MOSFET TO-220 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 3. Source 100 10 @ VGS =10V 81 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low RDS(ON) 10m (Max.) Low gate charge typical @ 154nC (Typ.) Low Crss typical @ 170pF (Typ.) Ordering Information Part No. Package Packing

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History: AP8600MT | HAF2011L | BUK9K45-100E | VBA1311

 

 
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