TSM85N10CZ - описание и поиск аналогов

 

TSM85N10CZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSM85N10CZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 81 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для TSM85N10CZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM85N10CZ даташит

 ..1. Size:62K  taiwansemi
 tsm85n10cz.pdf pdf_icon

TSM85N10CZ

TSM85N10 100V N-Channel Power MOSFET TO-220 PRODUCT SUMMARY Pin Definition 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Drain 3. Source 100 10 @ VGS =10V 81 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low RDS(ON) 10m (Max.) Low gate charge typical @ 154nC (Typ.) Low Crss typical @ 170pF (Typ.) Ordering Information Part No. Package Packing

Другие MOSFET... TSM7N60CI , TSM7N60CZ , TSM7N65CI , TSM7N65CZ , TSM7N90CI , TSM7N90CZ , TSM802CQ , TSM80N08CZ , IRF3710 , TSM8N50CH , TSM8N50CP , TSM8N70CI , TSM8N80CI , TSM8N80CZ , TSM9409CS , TSM9426DCS , TSM9428CS .

History: AP6N3R5LIN | BSO207PH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.