TSM85N10CZ - аналоги и даташиты транзистора

 

TSM85N10CZ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TSM85N10CZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 81 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TSM85N10CZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM85N10CZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  taiwansemi
 tsm85n10cz.pdf pdf_icon

TSM85N10CZ

TSM85N10 100V N-Channel Power MOSFET TO-220 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 3. Source 100 10 @ VGS =10V 81 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low RDS(ON) 10m (Max.) Low gate charge typical @ 154nC (Typ.) Low Crss typical @ 170pF (Typ.) Ordering Information Part No. Package Packing

Другие MOSFET... TSM7N60CI , TSM7N60CZ , TSM7N65CI , TSM7N65CZ , TSM7N90CI , TSM7N90CZ , TSM802CQ , TSM80N08CZ , P55NF06 , TSM8N50CH , TSM8N50CP , TSM8N70CI , TSM8N80CI , TSM8N80CZ , TSM9409CS , TSM9426DCS , TSM9428CS .

 

 
Back to Top

 


 
.