TSU45N60 Todos los transistores

 

TSU45N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSU45N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 37.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 276 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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TSU45N60 Datasheet (PDF)

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TSU45N60

TSU45N60 Table 2. Thermal CharacteristicSymbol Parameter Value Unit RJC Thermal Resistance,Junction-to-Case 2.7 /W Table 3. Electrical Characteristics (TA=25unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V ID=250A 60 V IDSS Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=25) VDS=60V,VGS=0V 1 A

Otros transistores... TSM9966DCX6 , TSM9N50CI , TSM9N50CZ , TSM9N90CI , TSM9N90CN , TSM9N90CZ , TSM9NB50CI , TSM9NB50CZ , IRF9540N , TT8J11 , TT8J13 , TT8J2 , TT8J21 , TT8J3 , TT8K1 , TT8K11 , TT8K2 .

History: SVF13N50CFJ | HGB200N10SL | MEE4294-G | NCEP40T13AGU | CJ3404 | SL3415 | 2SK1954-Z

 

 
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