TSU45N60 Todos los transistores

 

TSU45N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSU45N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 276 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: TO-251

 Búsqueda de reemplazo de TSU45N60 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TSU45N60 datasheet

 ..1. Size:1583K  thinkisemi
 tsu45n60.pdf pdf_icon

TSU45N60

TSU45N60 Table 2. Thermal Characteristic Symbol Parameter Value Unit R JC Thermal Resistance,Junction-to-Case 2.7 /W Table 3. Electrical Characteristics (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V ID=250 A 60 V IDSS Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=25 ) VDS=60V,VGS=0V 1 A

Otros transistores... TSM9966DCX6 , TSM9N50CI , TSM9N50CZ , TSM9N90CI , TSM9N90CN , TSM9N90CZ , TSM9NB50CI , TSM9NB50CZ , SKD502T , TT8J11 , TT8J13 , TT8J2 , TT8J21 , TT8J3 , TT8K1 , TT8K11 , TT8K2 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.