TSU45N60 - описание и поиск аналогов

 

TSU45N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSU45N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 276 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для TSU45N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSU45N60 даташит

 ..1. Size:1583K  thinkisemi
 tsu45n60.pdf pdf_icon

TSU45N60

TSU45N60 Table 2. Thermal Characteristic Symbol Parameter Value Unit R JC Thermal Resistance,Junction-to-Case 2.7 /W Table 3. Electrical Characteristics (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V ID=250 A 60 V IDSS Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=25 ) VDS=60V,VGS=0V 1 A

Другие MOSFET... TSM9966DCX6 , TSM9N50CI , TSM9N50CZ , TSM9N90CI , TSM9N90CN , TSM9N90CZ , TSM9NB50CI , TSM9NB50CZ , SKD502T , TT8J11 , TT8J13 , TT8J2 , TT8J21 , TT8J3 , TT8K1 , TT8K11 , TT8K2 .

History: IRFI4410ZGPBF | AP6P064JB

 

 

 

 

↑ Back to Top
.