Справочник MOSFET. TSU45N60

 

TSU45N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSU45N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 276 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для TSU45N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSU45N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1583K  thinkisemi
 tsu45n60.pdf pdf_icon

TSU45N60

TSU45N60 Table 2. Thermal CharacteristicSymbol Parameter Value Unit RJC Thermal Resistance,Junction-to-Case 2.7 /W Table 3. Electrical Characteristics (TA=25unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V ID=250A 60 V IDSS Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=25) VDS=60V,VGS=0V 1 A

Другие MOSFET... TSM9966DCX6 , TSM9N50CI , TSM9N50CZ , TSM9N90CI , TSM9N90CN , TSM9N90CZ , TSM9NB50CI , TSM9NB50CZ , IRF9540N , TT8J11 , TT8J13 , TT8J2 , TT8J21 , TT8J3 , TT8K1 , TT8K11 , TT8K2 .

History: AP2N030EN

 

 
Back to Top

 


 
.