TT8J13 Todos los transistores

 

TT8J13 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TT8J13

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.062 Ohm

Encapsulados: TSST8

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TT8J13 datasheet

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TT8J13

Data Sheet 1.5V Drive Pch + Pch MOSFET TT8J13 Dimensions (Unit mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) Small high power package. (1) (2) (3) (4) 3) Low voltage drive(1.5V drive). Abbreviated symbol J13 Application Switching Inner circuit (8) (7) (6) (5) Packaging specifications Package Taping

 9.1. Size:537K  rohm
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TT8J13

TT8J11 Pch -12V -3.5A Power MOSFET Datasheet lOutline (8) VDSS -12V (7) TSST8 (6) RDS(on) (Max.) 43mW (5) (1) ID -3.5A (2) (3) PD 1.25W (4) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain 2) -1.5V Drive. (2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain (4) Tr2 Gate (8) Tr1 Drain 3) Built-in G-S Protection Diode. 4) Sma

Otros transistores... TSM9N50CZ , TSM9N90CI , TSM9N90CN , TSM9N90CZ , TSM9NB50CI , TSM9NB50CZ , TSU45N60 , TT8J11 , 13N50 , TT8J2 , TT8J21 , TT8J3 , TT8K1 , TT8K11 , TT8K2 , TT8M1 , TT8M2 .

History: AP70SL1K4AI | LSF60R290HF

 

 

 

 

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