TT8J13 Todos los transistores

 

TT8J13 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TT8J13
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.062 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSST8
 

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TT8J13 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:525K  rohm
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TT8J13

Data Sheet1.5V Drive Pch + Pch MOSFET TT8J13Dimensions (Unit : mm) StructureSilicon P-channel MOSFETTSST8(8) (7) (6) (5)Features1) Low On-resistance.2) Small high power package. (1) (2) (3) (4)3) Low voltage drive(1.5V drive).Abbreviated symbol : J13 ApplicationSwitchingInner circuit(8) (7) (6) (5) Packaging specificationsPackage Taping

 9.1. Size:537K  rohm
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TT8J13

TT8J11 Pch -12V -3.5A Power MOSFET DatasheetlOutline(8) VDSS-12V(7) TSST8(6) RDS(on) (Max.)43mW(5) (1) ID-3.5A(2) (3) PD1.25W(4) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain 2) -1.5V Drive. (2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain (4) Tr2 Gate (8) Tr1 Drain 3) Built-in G-S Protection Diode.4) Sma

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History: SSM3J35FS | CTLM7110-M832D | ME95N03T | GM2302 | AO4800 | AON7518 | IPB77N06S2-12

 

 
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