TT8J13 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TT8J13
Código: J13
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.062 Ohm
Paquete / Cubierta: TSST8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TT8J13
TT8J13 Datasheet (PDF)
tt8j13.pdf
Data Sheet1.5V Drive Pch + Pch MOSFET TT8J13Dimensions (Unit : mm) StructureSilicon P-channel MOSFETTSST8(8) (7) (6) (5)Features1) Low On-resistance.2) Small high power package. (1) (2) (3) (4)3) Low voltage drive(1.5V drive).Abbreviated symbol : J13 ApplicationSwitchingInner circuit(8) (7) (6) (5) Packaging specificationsPackage Taping
tt8j11.pdf
TT8J11 Pch -12V -3.5A Power MOSFET DatasheetlOutline(8) VDSS-12V(7) TSST8(6) RDS(on) (Max.)43mW(5) (1) ID-3.5A(2) (3) PD1.25W(4) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain 2) -1.5V Drive. (2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain (4) Tr2 Gate (8) Tr1 Drain 3) Built-in G-S Protection Diode.4) Sma
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Liste
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