Справочник MOSFET. TT8J13

 

TT8J13 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TT8J13
   Маркировка: J13
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.062 Ohm
   Тип корпуса: TSST8

 Аналог (замена) для TT8J13

 

 

TT8J13 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:525K  rohm
 tt8j13.pdf

TT8J13 TT8J13

Data Sheet1.5V Drive Pch + Pch MOSFET TT8J13Dimensions (Unit : mm) StructureSilicon P-channel MOSFETTSST8(8) (7) (6) (5)Features1) Low On-resistance.2) Small high power package. (1) (2) (3) (4)3) Low voltage drive(1.5V drive).Abbreviated symbol : J13 ApplicationSwitchingInner circuit(8) (7) (6) (5) Packaging specificationsPackage Taping

 9.1. Size:537K  rohm
 tt8j11.pdf

TT8J13 TT8J13

TT8J11 Pch -12V -3.5A Power MOSFET DatasheetlOutline(8) VDSS-12V(7) TSST8(6) RDS(on) (Max.)43mW(5) (1) ID-3.5A(2) (3) PD1.25W(4) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain 2) -1.5V Drive. (2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain (4) Tr2 Gate (8) Tr1 Drain 3) Built-in G-S Protection Diode.4) Sma

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top