TT8J13 - описание и поиск аналогов

 

TT8J13. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TT8J13

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.062 Ohm

Тип корпуса: TSST8

Аналог (замена) для TT8J13

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TT8J13 даташит

 ..1. Size:525K  rohm
 tt8j13.pdf pdf_icon

TT8J13

Data Sheet 1.5V Drive Pch + Pch MOSFET TT8J13 Dimensions (Unit mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) Small high power package. (1) (2) (3) (4) 3) Low voltage drive(1.5V drive). Abbreviated symbol J13 Application Switching Inner circuit (8) (7) (6) (5) Packaging specifications Package Taping

 9.1. Size:537K  rohm
 tt8j11.pdf pdf_icon

TT8J13

TT8J11 Pch -12V -3.5A Power MOSFET Datasheet lOutline (8) VDSS -12V (7) TSST8 (6) RDS(on) (Max.) 43mW (5) (1) ID -3.5A (2) (3) PD 1.25W (4) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain 2) -1.5V Drive. (2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain (4) Tr2 Gate (8) Tr1 Drain 3) Built-in G-S Protection Diode. 4) Sma

Другие MOSFET... TSM9N50CZ , TSM9N90CI , TSM9N90CN , TSM9N90CZ , TSM9NB50CI , TSM9NB50CZ , TSU45N60 , TT8J11 , 13N50 , TT8J2 , TT8J21 , TT8J3 , TT8K1 , TT8K11 , TT8K2 , TT8M1 , TT8M2 .

History: SIR436DP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.