TT8J2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TT8J2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.084 Ohm
Encapsulados: TSST8
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TT8J2 datasheet
tt8j2.pdf
4V Drive Pch MOSFET TT8J2 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) High Power Package. (1) (2) (3) (4) 3) Low voltage drive. (4V) Abbreviated symbol J02 Applications Each lead has same dimensions Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type Code T
tt8j21.pdf
TT8J21 Pch -20V -2.5A Power MOSFET Datasheet lOutline (8) VDSS -20V (7) TSST8 (6) RDS(on) (Max.) 68mW (5) (1) ID -2.5A (2) (3) PD 1.25W (4) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain (2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain 2) -1.5V Drive. (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain (4) Tr2 Gate (8) Tr1 Drain 3) Built-in G-S Protection Diode. 4) Sm
Otros transistores... TSM9N90CI , TSM9N90CN , TSM9N90CZ , TSM9NB50CI , TSM9NB50CZ , TSU45N60 , TT8J11 , TT8J13 , AON7410 , TT8J21 , TT8J3 , TT8K1 , TT8K11 , TT8K2 , TT8M1 , TT8M2 , TT8M3 .
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