TT8J2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TT8J2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.084 Ohm
Paquete / Cubierta: TSST8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TT8J2
TT8J2 Datasheet (PDF)
tt8j2.pdf
4V Drive Pch MOSFET TT8J2 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSST8(8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) High Power Package. (1) (2) (3) (4)3) Low voltage drive. (4V) Abbreviated symbol : J02 Applications Each lead has same dimensionsSwitching Packaging specifications Inner circuit Package Taping(8) (7) (6) (5)Type Code T
tt8j21.pdf
TT8J21 Pch -20V -2.5A Power MOSFET DatasheetlOutline(8) VDSS-20V(7) TSST8(6) RDS(on) (Max.)68mW (5) (1) ID-2.5A(2) (3) PD1.25W(4) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain (2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain 2) -1.5V Drive.(3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain (4) Tr2 Gate (8) Tr1 Drain 3) Built-in G-S Protection Diode.4) Sm
Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
Liste
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